Главная  Журналы  Национальные интересы: приоритеты и безопасность  3(456) - 2026 март

Условия для достижения технологического суверенитета Российской Федерации в области СВЧ-электроники

Получена: 20.11.2025

Одобрена: 08.12.2025

Доступна онлайн: 30.03.2026

Рубрика: НАЦИОНАЛЬНЫЕ ИНТЕРЕСЫ

Коды JEL: O11, О33, О57

Страницы: 4-21

https://doi.org/10.24891/ppcutf

Предмет. Достижение технологического суверенитета Российской Федерации в области СВЧ-электроники как критически важного направления для национальной безопасности и развития высокотехнологичных отраслей.
Цели. Проанализировать и систематизировать комплекс условий, необходимых для достижения технологического суверенитета России в сфере СВЧ-электроники, сформулировать конкретные практические меры.
Методология. В процессе исследования использовались методы системного и сравнительного анализа мировых тенденций развития СВЧ-электроники за последние пять лет, нормативно-правовая база, стратегические и программные документы Российской Федерации.
Результаты. Выявлены системные барьеры для России и универсальные условия успеха стран–лидеров. Разработан двухуровневый подход, включающий меры по развитию нормативно-правовой базы и созданию инновационно-производственной инфраструктуры. Определены конкретные практические задачи и обоснованы тенденции развития отрасли в условиях новой технологической парадигмы.
Выводы. Достижение суверенитета требует перехода от политики импортозамещения к построению саморазвивающейся инновационной экосистемы.

Ключевые слова: технологический суверенитет, СВЧ-электроника, импортозависимость, производственные технологии, государственная поддержка

Список литературы:

1. Гайсина А.В. Цифровизация экономики и развитие информационного общества как основные условия формирования интернет-экономики // Естественно-гуманитарные исследования. 2023. № 6. С. 122–126. EDN: MHBUCJ
2. Шевченко О.М. Цифровое неравенство в современном российском обществе: уровни и социальные последствия // Гуманитарий Юга России. 2023. Т. 12. № 1. С. 54–63. DOI: 10.18522/2227-8656.2023.1.4 EDN: DAYKZM
3. Grebennikov A., Wong J., Deguchi H. High-power high-efficiency GaN HEMT Doherty amplifiers for base station applications. IEICE Transactions on Electronics, 2021, no. 10, pp. 488–495. DOI: 10.1587/transele.2021MMI0003
4. Moutanabbir O., Assali S., Gong X. et al. Monolithic infrared silicon photonics: The rise of (Si)GeSn semiconductors. Applied Physics Letters, 2021, vol. 118, iss. 11. DOI: 10.1063/5.0043511
5. Юревич М.А. Технологический суверенитет России: понятие, измерение, возможность достижения // Вопросы теоретической экономики. 2023. № 4. С. 7–21. DOI: 10.52342/2587-7666VTE_2023_4_7_21 EDN: UAYDKN
6. Tran M.A., Zhang Ch., Morin T.J. et al. Extending the spectrum of fully integrated photonics to submicrometre wavelengths. Nature, 2022, vol. 610, iss. 7930, pp. 54–60. DOI: 10.1038/s41586-022-05119-9 EDN: NIEHCB
7. Lv G., Chen W., Liu X. et al. A dual-band GaN MMIC power amplifier with hybrid operating modes for 5G application. IEEE Microwave and Wireless Components Letters, 2019, no. 99, pp. 1–3. DOI: 10.1109/LMWC.2019.2892837
8. Rappaport T.S., Xing Y., Kanhere O. et al. Wireless communications and applications above 100 GHz: Opportunities and challenges for 6G and beyond. IEEE Access, 2019, no. 7. DOI: 10.1109/MCOM.001.1900515
9. Yoshikawa A., Matsunami H., Nanishi Y. Development and applications of wide bandgap semiconductors. Wide Bandgap Semiconductors. Berlin, Heidelberg, Springer, 2007, pp. 1–24. DOI: 10.1007/978-3-540-47235-3_1
10. Zmuda H. Optical beamforming for phased array antennas. Adaptive Antenna Arrays. Berlin, Heidelberg, Springer, 2004, pp. 219–244. DOI: 10.1007/978-3-662-05592-2_13
11. Arivazhagan L., Jarndal A., Nirmal Ph.D. GaN HEMT on Si substrate with diamond heat spreader for high power applications. Journal of Computational Electronics, 2021, no. 20, pp. 873–882. DOI: 10.1007/s10825-020-01646-8
12. Hiskiawan P., Chen C.-C., Ye Z.-K. Processing of electrical resistivity tomography data using convolutional neural network in ERT-NET architectures. Arabian Journal of Geosciences, 2023, no. 16. DOI: 10.1007/s12517-023-11690-w
13. Ермолов П.П., Папуловская Н.В. СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии: взгляд в будущее (обзор 32-й Международной конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии») // Ural Radio Engineering Journal. 2022. Т. 6. № 4. С. 462–495. DOI: 10.15826/ urej.2022.6.4.007 EDN: PXVBFU
14. Якушева П.А. Цифровая экономика и ее влияние на рынок труда // Экономический вестник ИПУ РАН. 2024. Т. 5. № 1 С. 51–56. DOI: 10.25728/econbull.2024.1.7-yakusheva EDN: OVTFMN
15. Волчек В.С., Ловшенко И.Ю., Шандарович В.Т. и др. Нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов с эффективной системой теплоотвода на основе графена // Доклады БГУИР. 2020. Т. 18. № 3. С. 72–80. DOI: 10.35596/1729-7648-2020-18-3-72-80 EDN: ZGQIRP
16. Комаров А.С., Крапухин Д.В., Шульгин Е.И. Управление техническим уровнем высокоинтегрированных электронных систем (научно-технологические проблемы и аспекты развития). М.: Техносфера, 2014. 240 с.
17. Шпак В.В. Развитие электронной промышленности России в условиях меняющегося мира: монография. М.: Техносфера, 2024. 128 с. EDN: OFVFVO
18. Багатин М., Жерарден С. Воздействие ионизирующего излучения в электронике: от схем памяти до формирователей изображений. М.: Техносфера, 2022. 500 с.

Посмотреть другие статьи номера »